SK Hynix, endüstrinin ilk 12 katmanlı HBM3 belleklerini duyurdu
Güney Kore merkezli yarı iletken üreticisi SK Hynix, kapasiteleri ciddi bir şekilde artıran dünyanın ilk 12 katmanlı HBM3 belleğini duyurdu. Yeni bellekler, önceki nesillere kıyasla bellek kapasitelerinde yüzde 50 oranında önemli bir artış sağlıyor.
SK Hynix, 12 katmanlı HBM3 yığınlarının, önceki 8 katmanlı HBM3 yığınlarına kıyasla bellek kapasitelerinde yüzde 50 artış sağladığını açıkladı. Yeni belleklerin kullanılacağı ürünler henüz duyurulmamış olsa da, Nvidia ve AMD’nin mevcut Hopper ve Instinct ürünlerinin daha yüksek kapasiteli yenilemelerini bu yıl içinde yeni bellek tasarımıyla sunması muhtemel görünüyor.
SK Hynix mühendisleri, en son sürüme gelişmiş MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill) teknolojisini uygulayarak süreç verimliliğini ve performans istikrarını artırdıklarını, TSV (Through Silicon Via) ile de tek bir DRAM yongasının kalınlığını yüzde 40 azaltarak 16GB ürünle aynı yığın yüksekliği seviyesine ulaştıklarını belirtiyor.
Yüksek kapasiteli HBM3 belleklerin, üretken yapay zeka araçlarının geliştirilmesinde kritik rol oynaması bekleniyor. SK Hynix, müşterilerine yeni belleklerin örneklerini gönderdiğini aktarıyor.
HBM (Yüksek Bant Genişlikli Bellek – High Bandwidth Memory), birden fazla DRAM yongasını dikey olarak birbirine bağlayan ve geleneksel DRAM ürünlerine kıyasla veri işleme hızını önemli ölçüde artıran yüksek performanslı bir bellek türü olarak açıklanabilir. HBM3, önceki HBM, HBM2 ve HBM2E nesillerini takip eden 4. nesil ürün olarak kabul ediliyor.
SK Hynix’in yeni bellekleri, endüstride bir ilki temsil ediyor ve yapay zeka teknolojilerinin gelişimine büyük katkı sağlaması bekleniyor.
